Infineon N沟道耗尽型MOS管, Vds=60 V, 230 mA, SOT-23, 贴片安装, 3引脚, BSS138I系列
- RS 库存编号:
- 225-0561P
- 制造商零件编号:
- BSS138IXTSA1
- 制造商:
- Infineon
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- 225-0561P
- 制造商零件编号:
- BSS138IXTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 230 mA | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 系列 | BSS138I | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 3.5 Ω | |
| 通道模式 | 耗尽 | |
| 最大栅阈值电压 | 1.4V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 230 mA | ||
最大漏源电压 60 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
系列 BSS138I | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 3.5 Ω | ||
通道模式 耗尽 | ||
最大栅阈值电压 1.4V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
Infineon BSS138I 是小信号，小功率 N 沟道和 P 沟道 MOSFET ，可提供广泛的 VGS (th) 电平和 RDS (on) 值以及多种电压等级。此 MOSFET 具有增强型和耗尽型选项。
印刷电路板空间和成本节省
栅极驱动灵活性
降低设计复杂性
环保型
整体效率高
栅极驱动灵活性
降低设计复杂性
环保型
整体效率高