Infineon N沟道MOSFET, Vds=600 V, Id=50 A, 22针, HDSOP, IPDQ60R010S7系列

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RS 库存编号:
225-0579
制造商零件编号:
IPDQ60R010S7XTMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

50A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

HDSOP

系列

IPDQ60R010S7

安装类型

表面

引脚数目

22

最大漏源电阻 Rd

10mΩ

通道模式

N

正向电压 Vf

0.82V

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

318nC

最大功耗 Pd

694W

最高工作温度

150°C

高度

21.06mm

宽度

2.35mm

长度

15.1mm

标准/认证

No

汽车标准

否

Infineon IPDQ60R010S7 是 N 沟道功率 MOSFET ，可为低频切换应用提供最佳性能。MOSFET 经优化可用于静态切换和高电流应用。它特别适用于固态继电器和断路器设计以及内部整流 inSMPS 和变频器拓扑。

最大限度地减少传导损耗

提高能效

更紧凑，更轻松的设计

采用固态设计，可消除或减少散热片

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