Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=600 V, 50 A, HDSOP, 表面安装, 22引脚, IPDQ60R010S7XTMA1, IPDQ60R010S7系列
- RS 库存编号:
- 225-0580
- 制造商零件编号:
- IPDQ60R010S7XTMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 225-0580
- 制造商零件编号:
- IPDQ60R010S7XTMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 50A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 包装类型 | HDSOP | |
| 系列 | IPDQ60R010S7 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 22 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 10mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 0.82V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 318nC | |
| 最大功耗 Pd | 694W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 2.35 mm | |
| 长度 | 15.1mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 21.06mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 50A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
包装类型 HDSOP | ||
系列 IPDQ60R010S7 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 22 | ||
最大漏源电阻 Rd 10mΩ | ||
通道模式 N | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 0.82V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 318nC | ||
最大功耗 Pd 694W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 2.35 mm | ||
长度 15.1mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 21.06mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IPDQ60R010S7 是 N 沟道功率 MOSFET ，可为低频切换应用提供最佳性能。MOSFET 经优化可用于静态切换和高电流应用。它特别适用于固态继电器和断路器设计以及内部整流 inSMPS 和变频器拓扑。
最大限度地减少传导损耗
提高能效
更紧凑，更轻松的设计
采用固态设计，可消除或减少散热片