Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=80 V, 43 A, HSOF, 表面安装, 8引脚, IPT010N08NM5ATMA1, IPT010N08NM5系列
- RS 库存编号:
- 225-0582
- 制造商零件编号:
- IPT010N08NM5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 2 件）*
¥108.77
(不含税)
¥122.91
(含税)
有库存
- 另外 298 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 498 | RMB54.385 | RMB108.77 |
| 500 - 998 | RMB53.835 | RMB107.67 |
| 1000 + | RMB51.15 | RMB102.30 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 225-0582
- 制造商零件编号:
- IPT010N08NM5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 43A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 系列 | IPT010N08NM5 | |
| 包装类型 | HSOF | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.05mΩ | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 178nC | |
| 最大功耗 Pd | 375W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 10.58 mm | |
| 高度 | 2.4mm | |
| 长度 | 10.1mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 43A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
系列 IPT010N08NM5 | ||
包装类型 HSOF | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.05mΩ | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 178nC | ||
最大功耗 Pd 375W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 10.58 mm | ||
高度 2.4mm | ||
长度 10.1mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IPT010N08NM5 是单 N 沟道 OptiMOS 5 功率 MOSFET 80V 1.05mΩ 425A ，采用收费封装。OptiMOS 5 硅技术是新一代功率 MOSFET ，专门设计用于电信和服务器电源的同步整流。
功率密度增加
低电压过冲
所需并联减少
最高系统效率
减少切换和传导损耗