Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 200 mA, SOT-23, 表面安装, 3引脚, SN7002IXTSA1, SN7002I系列
- RS 库存编号:
- 225-0584P
- 制造商零件编号:
- SN7002IXTSA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 225-0584P
- 制造商零件编号:
- SN7002IXTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 200mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 系列 | SN7002I | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 5Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 0.9nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 360mW | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 3.4mm | |
| 高度 | 3.4mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 200mA | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 SOT-23 | ||
系列 SN7002I | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 5Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 0.9nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 360mW | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 3.4mm | ||
高度 3.4mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon SN7002I 是小信号，小功率 N 沟道和 P 沟道 MOSFET ，可提供广泛的 VGS (th) 电平和 RDS (on) 值以及多种电压等级。此 MOSFET 具有增强型和耗尽型选项。
印刷电路板空间和成本节省
栅极驱动灵活性
降低设计复杂性
环保型
整体效率高