STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 6 A, TO-252, 表面安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 225-0672P
- 制造商零件编号:
- STD9N60M6
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 6A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 750mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 10nC | |
| 最大功耗 Pd | 76W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 V | |
| 正向电压 Vf | 1.6V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 6A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 750mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 10nC | ||
最大功耗 Pd 76W | ||
最大栅源电压 Vgs 25 V | ||
正向电压 Vf 1.6V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
STMicroelectronics 的新型 MDmesh M6 技术融合了闻名和 SJ MOSFET 的合并 MDmesh 系列的最新改进。STMicroelectronics 通过其新的 M6 技术在上一代 MDmesh 器件的基础上构建，该技术将出色的 RDS (接通) 每区域改进与最有效的切换行为之一相结合，并提供用户友好的体验，以实现最大的最终应用效率。
减少切换损耗
与上一代产品相比，每个区域的 RDS (接通) 较低
低栅极输入电阻
通过 100% 雪崩测试
提供齐纳保护
584.