STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 6 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, STD9N60M6
- RS 库存编号:
- 225-0672P
- 制造商零件编号:
- STD9N60M6
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- STD9N60M6
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 6A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 750mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 10nC | |
| 正向电压 Vf | 1.6V | |
| 最大功耗 Pd | 76W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 6A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 750mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 10nC | ||
正向电压 Vf 1.6V | ||
最大功耗 Pd 76W | ||
最大栅源电压 Vgs 25 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
STMicroelectronics 的新型 MDmesh M6 技术融合了闻名和 SJ MOSFET 的合并 MDmesh 系列的最新改进。STMicroelectronics 通过其新的 M6 技术在上一代 MDmesh 器件的基础上构建，该技术将出色的 RDS (接通) 每区域改进与最有效的切换行为之一相结合，并提供用户友好的体验，以实现最大的最终应用效率。
STMicroelectronics 的新型 MDmesh M6 技术融合了闻名和 SJ MOSFET 的合并 MDmesh 系列的最新改进。STMicroelectronics 通过其新的 M6 技术在上一代 MDmesh 器件的基础上构建，该技术将出色的 RDS (接通) 每区域改进与最有效的切换行为之一相结合，并提供用户友好的体验，以实现最大的最终应用效率。
减少切换损耗
与上一代产品相比，每个区域的 RDS (接通) 较低
低栅极输入电阻
通过 100% 雪崩测试
提供齐纳保护
减少切换损耗
与上一代产品相比，每个区域的 RDS (接通) 较低
低栅极输入电阻
通过 100% 雪崩测试
提供齐纳保护
584.
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