STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=72 A, 3针, TO-247, MDmesh DM6系列

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RS 库存编号:
225-0678
制造商零件编号:
STWA68N65DM6AG
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

72A

最大漏源电压 Vd

650V

包装类型

TO-247

系列

MDmesh DM6

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

39mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

118nC

最大栅源电压 Vgs

25V

最大功耗 Pd

480W

正向电压 Vf

1.6V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

宽度

15.8mm

标准/认证

No

高度

5.1mm

长度

40.92mm

汽车标准

AEC-Q101

STMicroelectronics 高电压 N 通道功率 MOSFET 是 MDmesh DM6 快速恢复二极管系列的一部分。与之前的 MDmesh 快速生成相比， DM6 将每个区域的 RDS (接通) 的极低恢复电荷 (Qrr) ，恢复时间 (TRR) 和出色的改进与严苛的高效桥接拓扑和 ZVS 相移转换器市场上最有效的切换行为之一相结合。

快速恢复体二极管

与上一代产品相比，每个区域的 RDS (接通) 较低

低栅极电荷，输入电容和电阻

通过 100% 雪崩测试

极高 dv/dt 坚固性

提供齐纳保护

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