Vishay N型沟道 MOSFET, Vds=800 V, 13 A, TO-247, 表面安装, 3引脚, EF系列

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包装方式:
RS 库存编号:
225-9914P
制造商零件编号:
SIHG15N80AEF-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

13A

最大漏源电压 Vd

800V

包装类型

TO-247

系列

EF

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

350mΩ

最大功耗 Pd

156W

正向电压 Vf

1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

54nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

30 V

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

宽度

2.39 mm

长度

6.73mm

高度

10.41mm

汽车标准

Vishay Siliconix 维护半导体技术的可靠性数据,封装可靠性代表所有合格位置的复合。

低品质因数 (FOM) Ron x Qg

低有效电容 (Co (er))

减少切换和传导损耗

雪崩能量等级 (UIS)