Vishay N型沟道功率 MOSFET, Vds=800 V, 4.4 A, JEDEC TO-220AB, 表面安装, 3引脚, SIHP5N80AE-GE3, E系列

RS 库存编号:: 225-9919
制造商零件编号:: SIHP5N80AE-GE3
制造商:: Vishay

Vishay N型沟道功率 MOSFET, Vds=800 V, 4.4 A, JEDEC TO-220AB, 表面安装, 3引脚, SIHP5N80AE-GE3, E系列

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N型
	产品类型	功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	4.4A
	最大漏源电压 Vd	800V
	包装类型	JEDEC TO-220AB
	系列	E
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	1.35Ω
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	62.5W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	16.5nC
	最大栅源电压 Vgs	30V
	正向电压 Vf	1.2V
	最高工作温度	150°C
	高度	15.85mm
	长度	10.52mm
	标准/认证	RoHS
	宽度	4.65mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N型
	产品类型功率 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 4.4A
	最大漏源电压 Vd 800V
	包装类型 JEDEC TO-220AB
	系列 E
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 1.35Ω
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 62.5W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 16.5nC
	最大栅源电压 Vgs 30V
	正向电压 Vf 1.2V
	最高工作温度 150°C
	高度 15.85mm
	长度 10.52mm
	标准/认证 RoHS
	宽度 4.65mm
	汽车标准否

Datasheet - SIHP5N80AE-GE3

Vishay E 系列功率 MOSFET,800 V 漏源电压,4.4 A 最大连续漏电流 - SIHP5N80AE-GE3

此功率 MOSFET 是高电压开关晶体管,设计用于功率转换和控制系统。它可用作一种 N 通道设备,能够处理高排放源电压,适用于需要稳健热性能和电气性能的表面安装应用。

特性和优点：

• 800 V 漏源额定值可实现高电压开关应用
• 4.4A 连续漏电流,可适度处理负载
• 1.35Ω Rds(on)可减少工作电流时的传导损耗
• 62.5W 功耗支持持续的功率循环
• 30V 栅极容差允许宽栅极驱动余额
• 16.5nC 典型栅极电荷,有助于可预测的切换行为

应用

• 适用于处理高直流导轨的开关模式电源
• 特别适用于工业电机驱动前端开关级别
• 用于电源系统中的高压缓冲器或夹具电路
• 可用于自动化领域的隔离升压转换器开关

该设备可在什么热范围内工作?

它的工作温度范围为-55°C至150°C,可在宽环境温度范围内使用。

PCB 组装的安装方式是什么?

该封装为 TO-220AB 表面贴装型,带三个引脚,可用于通板或散热器连接选项。

我应该注意哪些栅极驱动因素?

栅极-源额定值为 30 V,因此栅极驱动器应限制在该阈值范围内的偏移,以防止损坏。

Vishay N型沟道 功率 MOSFET, Vds=800 V, 4.4 A, JEDEC TO-220AB, 表面安装, 3引脚, SIHP5N80AE-GE3, E系列

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