Vishay N沟道功率MOSFET, Vds=800 V, Id=4.4 A, 3针, JEDEC TO-220AB, E系列

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RS 库存编号:
225-9919
制造商零件编号:
SIHP5N80AE-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

功率MOSFET

最大连续漏极电流 Id

4.4A

最大漏源电压 Vd

800V

系列

E

包装类型

JEDEC TO-220AB

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

1.35Ω

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

30V

最大功耗 Pd

62.5W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

16.5nC

最高工作温度

150°C

宽度

4.65mm

长度

10.52mm

标准/认证

RoHS

高度

15.85mm

汽车标准

否

Vishay E 系列功率 MOSFET，漏源电压 800V，最大功耗 62.5W - SIHP5N80AE-GE3


这款功率MOSFET是一款高压N沟道晶体管，专为工业环境中的开关和电源转换应用而设计。它可在宽环境温度范围内工作，并采用TO-220AB封装，便于常规安装。该器件支持较高的漏源电压要求，同时提供适中的连续电流能力，旨在用于需要符合RoHS标准的表面贴装应用设备。

特性和优点：


• 800V 漏极耐压能力支持高压开关操作
• 4.4A 持续电流适用于中等功率负载
• 1.35Ω导通电阻可最大程度降低负载条件下的导通损耗
• 最大耗散功率为62.5W，支持更高的功率处理
• 16.5nC典型栅极电荷可实现更快的栅极转换
• ±30V 栅极容差支持灵活的驱动电压

应用


• 适用于高压电源和转换器
• 适用于工业开关电源
• 用于需要强大电压裕量的电机驱动装置
• 可用于高压系统中的缓冲电路和钳位电路
• 适用于处理高电压的实验室测试台

它在运行期间能承受怎样的极端温度？


其额定工作温度范围为-55°C至150°C，可在冷启动和高温工业环境中使用。

在 PCB 部署中，它采用何种封装和安装方式？


它以TO-220AB封装形式提供，适用于表面贴装，便于在组件上实现通孔式散热。

提供多少个连接引脚？极性类型是什么？


该器件具有三个引脚，采用N沟道类型，其栅极、漏极和源极的引脚功能为典型MOSFET配置。

为避免损坏，栅极驱动电压是否有相关限制？


驱动过程中，栅源电压不得超过30V，以防止栅极过压应力。

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