Vishay N型沟道 MOSFET, Vds=80 V, 299 A, PowerPAK (8x8L), 表面安装, 4引脚, SIJH800E-T1-GE3, N-Channel 80 V系列

RS 库存编号:: 225-9921
制造商零件编号:: SIJH800E-T1-GE3
制造商:: Vishay

Vishay N型沟道 MOSFET, Vds=80 V, 299 A, PowerPAK (8x8L), 表面安装, 4引脚, SIJH800E-T1-GE3, N-Channel 80 V系列

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	299A
	最大漏源电压 Vd	80V
	系列	N-Channel 80 V
	包装类型	PowerPAK (8x8L)
	安装类型	表面
	引脚数目	4
	最大漏源电阻 Rd	1.8mΩ
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	3.3W
	正向电压 Vf	1.2V
	最大栅源电压 Vgs	20 V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	210nC
	最高工作温度	150°C
	宽度	1.9 mm
	标准/认证	No
	长度	8.1mm
	高度	8mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 299A
	最大漏源电压 Vd 80V
	系列 N-Channel 80 V
	包装类型 PowerPAK (8x8L)
	安装类型表面
	引脚数目 4
	最大漏源电阻 Rd 1.8mΩ
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 3.3W
	正向电压 Vf 1.2V
	最大栅源电压 Vgs 20 V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 210nC
	最高工作温度 150°C
	宽度 1.9 mm
	标准/认证 No
	长度 8.1mm
	高度 8mm
	汽车标准否