Vishay N型沟道 MOSFET, Vds=80 V, 299 A, PowerPAK (8x8L), 表面安装, 4引脚, N-Channel 80 V系列
- RS 库存编号:
- 225-9921P
- 制造商零件编号:
- SIJH800E-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计 750 件 (以卷装提供)*
¥20,456.25
(不含税)
¥23,115.75
(含税)
暂时缺货
- 4,874 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 750 - 1498 | RMB27.275 |
| 1500 + | RMB26.45 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 225-9921P
- 制造商零件编号:
- SIJH800E-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 299A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 系列 | N-Channel 80 V | |
| 包装类型 | PowerPAK (8x8L) | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.8mΩ | |
| 最大功耗 Pd | 3.3W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 210nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 1.9 mm | |
| 长度 | 8.1mm | |
| 高度 | 8mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 299A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
系列 N-Channel 80 V | ||
包装类型 PowerPAK (8x8L) | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.8mΩ | ||
最大功耗 Pd 3.3W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 210nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 1.9 mm | ||
长度 8.1mm | ||
高度 8mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay Siliconix 维护半导体技术的可靠性数据，封装可靠性代表所有合格位置的复合。
TrenchFET Gen IV 功率 MOSFET
完全无铅 (Pb) 器件
经优化的 Qg、Qgd 和 Qgd/Qgs 比降低了与切换相关的功耗
体积比 D2PAK (TO-263) 小 50%
经过 100 % Rg 和 UIS 测试