Vishay N沟道MOSFET, Vds=100 V, Id=9 A, 7针, SC-70, N-Channel 100 V系列

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包装方式:
RS 库存编号:
225-9941
制造商零件编号:
SQA700CEJW-T1_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

9A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

SC-70

系列

N-Channel 100 V

安装类型

表面

引脚数目

7

最大漏源电阻 Rd

990mΩ

通道模式

N

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

6.2nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

13.6W

正向电压 Vf

0.86V

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

175°C

宽度

2.05mm

标准/认证

AEC-Q101

长度

2.05mm

汽车标准

AEC-Q101

Vishay Siliconix 维护半导体技术的可靠性数据,封装可靠性代表所有合格位置的复合。

TrenchFET 功率 MOSFET

符合 AEC-Q101

可润侧翼接线端子

经过 100 % Rg 和 UIS 测试

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