Vishay P型沟道 MOSFET, Vds=12 V, 137 A, PowerPAK (8x8L), 表面安装, 4引脚, SQJ123ELP-T1_GE3, P-Channel 12 V系列

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制造商零件编号:
SQJ123ELP-T1_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

137A

最大漏源电压 Vd

12V

系列

P-Channel 12 V

包装类型

PowerPAK (8x8L)

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

6.6mΩ

正向电压 Vf

-0.76V

最大栅源电压 Vgs

8 V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

375W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

120nC

最高工作温度

175°C

高度

2.38mm

长度

10.41mm

宽度

6.73 mm

标准/认证

No

汽车标准

AEC-Q101

Vishay Siliconix 维护半导体技术的可靠性数据,封装可靠性代表所有合格位置的复合。

符合 AEC-Q101

经过 100 % Rg 和 UIS 测试

1.6 mm 薄型封装

极低热阻

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。