Vishay N型沟道 MOSFET, Vds=40 V, 372 A, PowerPAK (8x8LR), 表面安装, 8引脚, SQJQ148ER-T1_GE3, N-Channel 40 V系列

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制造商零件编号:
SQJQ148ER-T1_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

372A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

N-Channel 40 V

包装类型

PowerPAK (8x8LR)

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

3.1mΩ

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

68nC

最大功耗 Pd

394W

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

0.8V

最高工作温度

175°C

标准/认证

AEC-Q101

宽度

8 mm

高度

1.6mm

长度

8.3mm

汽车标准

AEC-Q101

Vishay Siliconix 维护半导体技术的可靠性数据,封装可靠性代表所有合格位置的复合。

符合 AEC-Q101

经过 100 % Rg 和 UIS 测试

1.6 mm 薄型封装

极低热阻