Vishay N型沟道 MOSFET, Vds=60 V, 602 A, PowerPAK (8x8L), 表面安装, 4引脚, N-Channel 60 V系列

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包装方式:
RS 库存编号:
225-9968P
制造商零件编号:
SQJQ160E-T1_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

602A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

PowerPAK (8x8L)

系列

N-Channel 60 V

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

1.8mΩ

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

183nC

正向电压 Vf

0.7V

最大功耗 Pd

600W

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

高度

1.7mm

长度

8.1mm

宽度

8 mm

汽车标准

AEC-Q101

Vishay Siliconix 维护半导体技术的可靠性数据,封装可靠性代表所有合格位置的复合。

符合 AEC-Q101

经过 100 % Rg 和 UIS 测试

1.6 mm 薄型封装

极低热阻