Vishay N型沟道 MOSFET, Vds=100 V, 150 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, N-Channel 100 V系列
- RS 库存编号:
- 225-9970P
- 制造商零件编号:
- SUM70042E-GE3
- 制造商:
- Vishay
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- RS 库存编号:
- 225-9970P
- 制造商零件编号:
- SUM70042E-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 150A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | N-Channel 100 V | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4.5mΩ | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 84nC | |
| 最大功耗 Pd | 278W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 0.8V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 4.826mm | |
| 长度 | 15.875mm | |
| 宽度 | 10.414 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 150A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 N-Channel 100 V | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 4.5mΩ | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 84nC | ||
最大功耗 Pd 278W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 0.8V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 4.826mm | ||
长度 15.875mm | ||
宽度 10.414 mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay Siliconix 维护半导体技术的可靠性数据，封装可靠性代表所有合格位置的复合。
TrenchFET 功率 MOSFET
最高 175 °C 接点温度
极低的 Qgd 可减少通过 V (平台) 时的功率损耗
经过 100 % Rg 和 UIS 测试