Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 8.3 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, Si4056ADY-T1-GE3, TrenchFET系列

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制造商零件编号:
Si4056ADY-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

8.3A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

SO-8

系列

TrenchFET

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

29.2mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

5W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

19.2nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

高度

1.75mm

标准/认证

No

汽车标准

Vishay TrenchFET Gen IV N 通道功率 MOSFET 用于负载开关,电路保护和电动机驱动器控制。

极低 RDS x Qg 品质因数 (FOM)

调谐至最低 RDS x Qoss FOM

逻辑电平栅极驱动

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。