制造商编号

Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=18.7 A, 8针, SO-8, TrenchFET系列

RS 库存编号:: 228-2821
制造商零件编号:: Si4090BDY-T1-GE3
制造商:: Vishay

Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=18.7 A, 8针, SO-8, TrenchFET系列

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50 - 95	RMB10.626	RMB53.13
100 - 245	RMB10.356	RMB51.78
250 - 995	RMB10.10	RMB50.50
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RS 库存编号:: 228-2821
制造商零件编号:: Si4090BDY-T1-GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	18.7A
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	SO-8
	系列	TrenchFET
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	10mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	7.4W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	46.5nC
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最高工作温度	150°C
	高度	1.75mm
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 18.7A
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 SO-8
	系列 TrenchFET
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 10mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 7.4W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 46.5nC
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最高工作温度 150°C
	高度 1.75mm
	标准/认证 No
	汽车标准否

Vishay TrenchFET N 通道功率 MOSFET 用于直流 / 直流初级侧开关，电信 / 服务器，电动机驱动器控制和同步整流。

经过 100 % Rg 和 UIS 测试

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