Vishay P型沟道增强型MOSFET, Vds=20 V, Id=12.5 A, 8针, TSSOP, TrenchFET系列

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包装方式：
RS 库存编号:
228-2823
制造商零件编号:
Si6423ADQ-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

12.5A

最大漏源电压 Vd

20V

系列

TrenchFET

包装类型

TSSOP

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

9.8mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

2.2W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

112nC

最大栅源电压 Vgs

8V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

高度

1.2mm

标准/认证

No

汽车标准

否

Vishay TrenchFET P 通道功率 MOSFET 用于负载开关，电池开关和电源管理。

经过 100 % Rg 和 UIS 测试

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