Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 12.5 A, TSSOP, 贴片安装, 8引脚, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 228-2823
- 制造商零件编号:
- Si6423ADQ-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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|---|---|---|
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| 100 - 240 | RMB5.426 | RMB54.26 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 228-2823
- 制造商零件编号:
- Si6423ADQ-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 12.5 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 封装类型 | TSSOP | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.0098 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 1V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 12.5 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
封装类型 TSSOP | ||
系列 TrenchFET | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 0.0098 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 1V | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
Vishay TrenchFET P 通道功率 MOSFET 用于负载开关，电池开关和电源管理。
经过 100 % Rg 和 UIS 测试