Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 12.5 A, TSSOP, 表面安装, 8引脚, Si6423ADQ-T1-GE3, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 228-2823
- 制造商零件编号:
- Si6423ADQ-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB6.457 | RMB64.57 |
| 50 - 90 | RMB6.296 | RMB62.96 |
| 100 - 240 | RMB6.138 | RMB61.38 |
| 250 - 990 | RMB5.985 | RMB59.85 |
| 1000 + | RMB5.834 | RMB58.34 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 228-2823
- 制造商零件编号:
- Si6423ADQ-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 12.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 包装类型 | TSSOP | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 9.8mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 2.2W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 112nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1.2mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 12.5A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
系列 TrenchFET | ||
包装类型 TSSOP | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 9.8mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 2.2W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 112nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1.2mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay TrenchFET P 通道功率 MOSFET 用于负载开关，电池开关和电源管理。
经过 100 % Rg 和 UIS 测试