Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=65 A, 8针, PowerPAK 1212, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 228-2825P
- 制造商零件编号:
- SI7116BDN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 90 | RMB7.71 |
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| 250 - 990 | RMB7.33 |
| 1000 + | RMB7.147 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 228-2825P
- 制造商零件编号:
- SI7116BDN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 65A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 包装类型 | PowerPAK 1212 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 7.4mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 31.4nC | |
| 最大功耗 Pd | 62.5W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 0.75mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 65A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 TrenchFET | ||
包装类型 PowerPAK 1212 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 7.4mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 31.4nC | ||
最大功耗 Pd 62.5W | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 0.75mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay TrenchFET N 通道功率 MOSFET 用于直流 / 直流初级侧开关，电信 / 服务器，电动机驱动器控制和同步整流。
极低的 Qg 和 Qoss 可减少功率损耗和
提高效率
经优化的 Qg、Qgd 和 Qgd/Qgs 比降低了
与切换相关的功耗