Vishay , 2 N型沟道 双 N 沟道 Mosfet 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 13.1 A, PowerPAK 1212, 表面安装, 8引脚, TrenchFET系列, Si7252ADP-T1-GE3
- RS 库存编号:
- 228-2827
- 制造商零件编号:
- Si7252ADP-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB16.148 | RMB80.74 |
| 50 - 95 | RMB15.742 | RMB78.71 |
| 100 - 245 | RMB15.35 | RMB76.75 |
| 250 - 995 | RMB14.968 | RMB74.84 |
| 1000 + | RMB14.592 | RMB72.96 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 228-2827
- 制造商零件编号:
- Si7252ADP-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 13.1A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 包装类型 | PowerPAK 1212 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 18.6mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 13.1nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 100V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 双 N 沟道 Mosfet | |
| 标准/认证 | No | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 13.1A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 TrenchFET | ||
包装类型 PowerPAK 1212 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 18.6mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 13.1nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 100V | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 双 N 沟道 Mosfet | ||
标准/认证 No | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay TrenchFET N 通道功率 MOSFET 用于直流 / 直流初级侧开关，电信 / 服务器，电动机驱动器控制和同步整流。
PWM 优化
经过 100 % Rg 和 UIS 测试