Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=23.5 A, 8针, SO-8, TrenchFET系列

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包装方式：
RS 库存编号:
228-2829
制造商零件编号:
Si7454FDP-T1-RE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

23.5A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

SO-8

系列

TrenchFET

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

29.5mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

39W

最大栅源电压 Vgs

20V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

17.4nC

最高工作温度

150°C

高度

1.12mm

标准/认证

No

汽车标准

否

Vishay TrenchFET N 通道功率 MOSFET 用于直流 / 直流初级侧开关，电信 / 服务器，电动机驱动器控制和同步整流。

TrenchFET Gen IV 功率 MOSFET

极低 RDS x Qg 品质因数 (FOM)

调谐至最低 RDS x Qoss FOM

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