Vishay , 2 N型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 4.5 A, SC-70, 表面安装, 8引脚, TrenchFET系列, SIA938DJT-T1-GE3
- RS 库存编号:
- 228-2835
- 制造商零件编号:
- SIA938DJT-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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| 100 - 225 | RMB3.751 | RMB93.78 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 228-2835
- 制造商零件编号:
- SIA938DJT-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 4.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 包装类型 | SC-70 | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 21.5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 12 V | |
| 最大功耗 Pd | 7.8W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 标准/认证 | No | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 4.5A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
包装类型 SC-70 | ||
系列 TrenchFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 21.5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 12 V | ||
最大功耗 Pd 7.8W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 3.5nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 双 | ||
标准/认证 No | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay 双 N 通道 MOSFET 为电源管理设计提供卓越的通用性。
超低 RDS (接通) 和出色的 RDS x Qg
超紧凑的品质因数 (FOM)
封装尺寸