Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=650 V, 25 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, E系列
- RS 库存编号:
- 228-2841
- 制造商零件编号:
- SIHB120N60E-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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- SIHB120N60E-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 25A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | E | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 120mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 30nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 179W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 25A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 E | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 120mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 30nC | ||
最大栅源电压 Vgs 30V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 179W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay E 系列功率 MOSFET,650 V 漏源电压,25 A 连续漏电流 - SIHB120N60E-T1-GE3
这款功率 MOSFET 是一款高电压开关晶体管,专为工业和自动化环境中的表面贴装应用而设计。它可用作 N 通道增强装置,适用于需要稳健电压处理和大量电流流量的电源转换和开关任务。该组件采用TO‐263封装,带三个接线端子,适用于宽温度范围。
特性和优点：
• 650 V 漏源额定值可实现高电压切换
• 25 A 连续漏电流支持持久负载条件
• 120 mΩ 导通电阻可减少负载下的传导损耗
• 179W 功耗可实现大量散热空间
• 30V 栅极容差允许灵活的栅极驱动电压
• 典型栅极电荷 30nC 转换转换速度
• 25 A 连续漏电流支持持久负载条件
• 120 mΩ 导通电阻可减少负载下的传导损耗
• 179W 功耗可实现大量散热空间
• 30V 栅极容差允许灵活的栅极驱动电压
• 典型栅极电荷 30nC 转换转换速度
应用
• 适用于处理高电压的工业电机驱动转换器
• 特别适用于SMPS和电源前端开关级别
• 用于需要高 VDS 的 LED 驱动器和灯具控制
• 可用于可再生能源系统中的变频器级别
• 适用于自动化领域的通用高压电源开关
• 特别适用于SMPS和电源前端开关级别
• 用于需要高 VDS 的 LED 驱动器和灯具控制
• 可用于可再生能源系统中的变频器级别
• 适用于自动化领域的通用高压电源开关
这款设备在运行过程中可承受哪些极端温度?
它的额定工作温度低至-55°C和高达150°C,可在恶劣的热环境中使用。
封装对安装和热性能有何影响?
TO‐263表面贴装封装便于焊接电路板安装,并提供适合通过PCB铜和外部附件进行散热的热路径。
为实现可靠开关,应注意哪些栅极驱动器?
在设计驱动器电路时,保持栅极电压在 ±30 V 范围内并考虑典型的 30 nC 栅极电荷,以确保足够的驱动电流和开关速度。
汽车使用是否有限制?
它未指定符合汽车标准,因此不应认为适用于经认证的汽车应用。