Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=650 V, 25 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, SIHB120N60E-T1-GE3, E系列

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包装方式：
RS 库存编号:
228-2842
制造商零件编号:
SIHB120N60E-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

功率 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

25A

最大漏源电压 Vd

650V

包装类型

TO-263

系列

E

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

120mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

179W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

30nC

最大栅源电压 Vgs

30V

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

否

Vishay E 系列功率 MOSFET 可减少开关和传导损耗。

低品质因数 (FOM) Ron x Qg

低有效电容 (Co (er))

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。


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