Vishay N沟道增强型功率MOSFET, Vds=650 V, Id=25 A, 3针, TO-263, E系列

RS 库存编号:: 228-2842P
制造商零件编号:: SIHB120N60E-T1-GE3
制造商:: Vishay

Vishay N沟道增强型功率MOSFET, Vds=650 V, Id=25 A, 3针, TO-263, E系列

此图片代表整个产品系列，仅供参考。

可享批量折扣

查看批量定价选项

小计 10 件 (按连续条带形式提供)*

RMB400.10

(不含税)

RMB452.10

796 件将从其他地点发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位	每单位
10 - 48	RMB40.01
50 - 98	RMB38.995
100 - 248	RMB38.02
250 +	RMB37.06

* 参考价格

RS 库存编号:: 228-2842P
制造商零件编号:: SIHB120N60E-T1-GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N
	产品类型	功率MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	25A
	最大漏源电压 Vd	650V
	包装类型	TO-263
	系列	E
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	120mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	30V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	30nC
	正向电压 Vf	1.2V
	最大功耗 Pd	179W
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N
	产品类型功率MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 25A
	最大漏源电压 Vd 650V
	包装类型 TO-263
	系列 E
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 120mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 30V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 30nC
	正向电压 Vf 1.2V
	最大功耗 Pd 179W
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - SIHB120N60E-T1-GE3

Vishay E 系列功率 MOSFET,650 V 漏源电压,25 A 连续漏电流 - SIHB120N60E-T1-GE3

这款功率 MOSFET 是一款高压 N 沟道器件，专为表面贴装组件中的开关和功率转换应用而设计。它可在较宽的温度范围内运行，适用于需要较高耐压能力和散热性能并符合 RoHS 指令要求的应用。

特性和优点：

• 650V 漏源耐压支持高压开关应用
• 25A 连续漏极电流支持大负载电流
• 120mΩ导通电阻，可降低电源路径中的导通损耗
• 179W 的功耗可实现持久的热负载处理
• 30V 栅极耐压能力确保稳健的栅极驱动裕量
• 典型栅极电荷为30nC，可实现可预测的开关能量

应用

• 适用于高压电源和转换器
• 适用于工业电机驱动开关级
• 可用于电信设备中的 DC-DC 转换
• 可用于功率因数校正电路
• 适用于 UPS 和电池管理开关应用

该器件在运行期间可承受的温度范围是多少？

其额定工作温度范围为 -55°C 至 150°C，可用于严苛的热环境。

该设备如何封装用于 PCB 组装?

它采用 TO-263 表面贴装封装，具有三个端子，便于安装到电路板上并实现高效散热。

在栅极驱动方面，可以预期怎样的开关特性？

最大栅源电压为 30V，典型栅极电荷为 30nC，对于常见的栅极驱动器电路，其栅极驱动要求适中且可预测。

该元件是否适用于汽车规格应用？

该器件未按照汽车标准进行规定，因此在需要汽车认证的应用中不应选用。