Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 25 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, SIHB120N60E-T5-GE3, E系列
- RS 库存编号:
- 228-2845
- 制造商零件编号:
- SIHB120N60E-T5-GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计（1 包，共 2 件）*
¥61.99
(不含税)
¥70.048
(含税)
最后的 RS 库存
- 最终 792 个，准备发货
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB30.995 | RMB61.99 |
| 10 - 48 | RMB30.215 | RMB60.43 |
| 50 - 98 | RMB29.46 | RMB58.92 |
| 100 - 248 | RMB28.72 | RMB57.44 |
| 250 + | RMB27.995 | RMB55.99 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 228-2845
- 制造商零件编号:
- SIHB120N60E-T5-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 25A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | E | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 120mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 179W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 30nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 25A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 E | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 120mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 179W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 30nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay E 系列功率 MOSFET 可减少开关和传导损耗。
低品质因数 (FOM) Ron x Qg
低有效电容 (Co (er))