Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=850 V, 8 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, SIHD11N80AE-T1-GE3, E系列

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228-2848
制造商零件编号:
SIHD11N80AE-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

功率 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

8A

最大漏源电压 Vd

850V

系列

E

包装类型

TO-252

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

450mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

78W

最大栅源电压 Vgs

30V

正向电压 Vf

1.2V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

28nC

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

否

Vishay E 系列功率 MOSFET,850 V 最大漏源电压,8 A 最大连续漏电流 - SIHD11N80AE-T1-GE3


此功率 MOSFET 是一款高电压 N 通道开关晶体管,专为工业电源设计中的表面贴装应用而设计。它作为增强模式设备运行,适用于需要高排放到源电压能力和在高温环境中适度连续电流处理的电路。

特性和优点：


• 850 V 最大排放到源电压可实现高电压开关应用 • 8A 连续排放电流支持中等负载驱动要求 • 450 mΩ Rds(on) 可减少高电压电路中的传导损耗 • 78W 最大功耗,可实现更高的散热空间 • 30V 栅极容差可实现稳固的栅极驱动余额 • 28nC 典型栅极电荷有助于可预测的开关性能

应用


• 适用于高电压电源和转换器 • 特别适用于工业电机驱动前端 • 用于电子镇流器和照明控制器 • 可用于能源管理和电源调节模块 • 适用于自动化系统中的中功率逆变器级别

它在印刷电路板组装中使用什么安装方式?


它采用TO-252表面贴装封装,带三个引脚,用于PCB焊接。

它在运行过程中可承受的温度范围是多少?


它专为在 -55°C 至最高 150°C 的温度范围内运行而设计。

其栅极特性如何影响开关设计?


额定栅极驱动器的典型栅极电荷为 28nC,可为选择栅极驱动器提供驱动电流和开关损耗估计值。

该设备可耗散的最大连续功率是多少?


该设备在适当的热管理条件下可耗散高达 78W 的功率。

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