Vishay N沟道增强型功率MOSFET, Vds=850 V, Id=8 A, 3针, TO-252, E系列

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包装方式：
RS 库存编号:
228-2849
制造商零件编号:
SIHD11N80AE-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

功率MOSFET

最大连续漏极电流 Id

8A

最大漏源电压 Vd

850V

包装类型

TO-252

系列

E

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

450mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

30V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

28nC

最大功耗 Pd

78W

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

否

Vishay Series E 功率 MOSFET，850V 最大漏源电压，8A 最大连续漏极电流 - SIHD11N80AE-T1-GE3


这款功率 MOSFET 是一款高压 N 沟道增强型器件，专为表面贴装应用中的功率开关工作而设计。该器件可在较宽的环境温度范围内运行，适用于需要较高漏源电压能力和适中连续电流承载能力的电路。该器件采用 TO-252 封装，并符合 RoHS 要求。

特性和优点：


• 850V 漏源额定值可实现高压开关
• 8A连续漏极电流，支持中等负载电流
• 450mΩ Rds(on) 可减少负载下的传导损耗
• 78W最大功耗可承受显著的热应力
• 28nC的总栅极电荷，可实现更快的栅极转换
• 1.2V 正向二极管压降可降低反向导通损耗

应用


• 用于高压开关转换器和逆变器
• 适用于工业电源和辅助电源轨
• 适用于半桥和开关模式拓扑
• 可用于中等电流的电机驱动栅极级
• 可与消费设备中的分立式电源管理电路板配合使用

我应针对什么范围的栅极驱动电压进行设计？


该器件可承受高达 30V 的栅源电压

应在此限制范围内设计栅极驱动器，并选择适合开关速度和安全裕量的驱动电压。

温度如何影响器件运行？


该器件额定工作温度范围为 -55°C 至 150°C，热性能将决定允许的占空比；在高功耗情况下，可能需要使用散热器或 PCB 散热过孔，以将结温保持在规定范围内。

需要注意哪些安装和布局因素？


由于采用 TO-252 表面贴装封装，应确保具有足够的铜面积以扩散热量，并为漏极和源极采用短距离、低电感走线，以改善散热和开关性能。

沟道类型如何影响电路设计？


N 沟道增强型工作模式需要正栅源电压才能导通，因此控制电路应相应提供适当的栅极驱动极性和电平。

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