Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=850 V, 8 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, E Series系列
- RS 库存编号:
- 228-2849P
- 制造商零件编号:
- SIHD11N80AE-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 95 | RMB13.252 |
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| 250 - 995 | RMB12.598 |
| 1000 + | RMB12.28 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 228-2849P
- 制造商零件编号:
- SIHD11N80AE-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 8 A | |
| 最大漏源电压 | 850 V | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 系列 | E Series | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.45. Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 8 A | ||
最大漏源电压 850 V | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
系列 E Series | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 0.45. Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
Vishay E 系列功率 MOSFET 可减少开关和传导损耗。
低品质因数 (FOM) Ron x Qg
低有效电容 (Co (er))
低有效电容 (Co (er))