Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=500 V, 36 A, Super-247, 通孔安装, 3引脚, SiHFPS37N50A-GE3, SiHFPS37N50A系列

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制造商零件编号:
SiHFPS37N50A-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

功率 MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

36A

最大漏源电压 Vd

500V

包装类型

Super-247

系列

SiHFPS37N50A

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

130mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

180nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

446W

正向电压 Vf

1.5V

最大栅源电压 Vgs

30V

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

否

Vishay SiHFPS37N50A 系列功率 MOSFET,500 V 漏源电压,36 A 连续漏电流 - SiHFPS37N50A-GE3


这款功率 MOSFET 是一款高电压 N 通道增强装置,专为工业和电子系统中的开关和电源管理功能而设计。它是一款采用 Super-247 封装的通孔组件,适用于需要稳健热处理和高排放源电压能力的应用。该设备可在宽温度范围内工作,专为连续漏电流和大功耗而设计,适用于严苛的电源开关任务。

特性和优点：


• 500V 漏源额定值,可实现高电压切换能力 • 36 A 连续排放电流,支持重负载处理 • 130 mΩ Rds(on),可减少负载下的传导损耗 • 446W 功耗,可提高电路的热耐久性 • 180 nC 典型栅极电荷,可满足可预测的驱动要求 • 30 V 最大栅极-源电压提供共用栅极-驱动边缘

应用


• 适用于工业变频器和电机驱动级 • 适用于高电压电源和转换器 • 可用于感应加热和焊接电源模块 • 用于自动化领域的功率整流和开关阵列 • 适用于电力电子设计中的栅极驱动评估

我应设计哪些热限制?


该设备的额定工作温度最高可达 150 °C,最低可达 -55 °C,因此热管理应确保在最坏情况下的耗散温度保持在该范围内。

我应该如何处理此组件的栅极驱动设计?


在指定的 Vgs 时,预期典型栅极电荷为 180 nC

驱动电流和开关斜率设计,以控制开关损耗和相应的电磁干扰。

适用的封装和安装注意事项是什么?


它采用 Super-247 通孔封装,带三个引脚

确保为指定的 446 W 耗散提供足够的 PCB 铜和散热片,以管理接点与环境的热阻。

栅极是否有特定的电压限制?


栅极不得超过 30 V 的最大栅极-源电压,以防止损坏栅极氧化物。