Vishay N沟道增强型功率MOSFET, Vds=500 V, Id=36 A, 3针, Super-247, SiHFPS37N50A系列

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计 10 件 (按管提供)*

RMB483.20

(不含税)

RMB546.00

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 60 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位
每单位
10 - 24RMB48.32
25 - 99RMB47.12
100 - 499RMB45.95
500 +RMB44.80

* 参考价格

包装方式：
RS 库存编号:
228-2856P
制造商零件编号:
SiHFPS37N50A-GE3
制造商:
Vishay
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Vishay

产品类型

功率MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

36A

最大漏源电压 Vd

500V

包装类型

Super-247

系列

SiHFPS37N50A

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

130mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.5V

最大栅源电压 Vgs

30V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

180nC

最大功耗 Pd

446W

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

否

Vishay SiHFPS37N50A 系列功率 MOSFET,500 V 漏源电压,36 A 连续漏电流 - SiHFPS37N50A-GE3


这款功率 MOSFET 是一款高压 N 沟道增强型器件，专为工业电子设备中的开关和功率转换应用而设计。它可在较宽的温度范围内运行，并采用通孔 Super-247 封装，便于稳固安装并提供可靠的散热路径。该元件符合 RoHS 要求，适用于需要较高电压承受能力和连续漏极电流能力的应用。

特性和优点：


• 500V漏极额定值，适用于高压开关应用
• 36A的连续漏极电流支持重载处理
• 130mΩ Rds(on) 可减少负载下的传导损耗
• 446W 功耗支持较高的功率处理能力
• 180nC 典型栅极电荷可优化开关能量权衡
• 30V 栅极耐压允许使用较宽范围的栅极驱动电压

应用


• 适用于工业电源和转换器
• 适用于高压电机驱动级应用
• 用于照明和镇流器系统的开关级
• 可用于电力电子设备中的逆变器前端
• 适用于实验室和原型设计中的通孔组装

该器件在运行期间可承受的环境温度是多少？


其规定工作温度范围为 -55°C 至 150°C，可用于宽温环境。

封装选择如何影响散热和组装？


Super-247 通孔封装可通过焊接安装点提供有效的散热路径，有助于高功率组件散热。

可靠使用时需要考虑哪些栅极驱动限制？


该器件允许栅源电压达到 30V

设计时应将 Vgs 限制在此范围内，以防止栅极损坏。

该器件是否适用于雪崩或瞬态能量吸收？


30V 最大栅极额定电压和高压漏极能力表明该器件可用于需要较强瞬态耐受能力的电路，但应根据系统级要求验证其瞬态能量承受能力。

相关链接