Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 35 A, TO-247AC, 通孔安装, 3引脚, E Series系列
- RS 库存编号:
- 228-2863
- 制造商零件编号:
- SiHG080N60E-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | RMB22.655 | RMB566.38 |
| 100 - 475 | RMB22.202 | RMB555.05 |
| 500 - 975 | RMB21.757 | RMB543.93 |
| 1000 - 2475 | RMB21.322 | RMB533.05 |
| 2500 + | RMB20.896 | RMB522.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 228-2863
- 制造商零件编号:
- SiHG080N60E-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 35 A | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 封装类型 | TO-247AC | |
| 系列 | E Series | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.08 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 5V | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 35 A | ||
最大漏源电压 650 V | ||
封装类型 TO-247AC | ||
系列 E Series | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 0.08 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 5V | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
晶体管材料 Si | ||
Vishay E 系列功率 MOSFET 可减少开关和传导损耗。
低品质因数 (FOM) Ron x Qg
低有效电容 (Co (er))
低有效电容 (Co (er))