Vishay N型沟道增强型功率 MOSFET, Vds=650 V, 32 A, PowerPAK, 表面安装, 4引脚, SiHH080N60E-T1-GE3, E系列

RS 库存编号:: 228-2873P
制造商零件编号:: SiHH080N60E-T1-GE3
制造商:: Vishay

Vishay N型沟道增强型功率 MOSFET, Vds=650 V, 32 A, PowerPAK, 表面安装, 4引脚, SiHH080N60E-T1-GE3, E系列

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制造商零件编号:: SiHH080N60E-T1-GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	功率 MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	32A
	最大漏源电压 Vd	650V
	系列	E
	包装类型	PowerPAK
	安装类型	表面
	引脚数目	4
	最大漏源电阻 Rd	70mΩ
	通道模式	增强
	正向电压 Vf	1.2V
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	184W
	最大栅源电压 Vgs	30V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	42nC
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型功率 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 32A
	最大漏源电压 Vd 650V
	系列 E
	包装类型 PowerPAK
	安装类型表面
	引脚数目 4
	最大漏源电阻 Rd 70mΩ
	通道模式增强
	正向电压 Vf 1.2V
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 184W
	最大栅源电压 Vgs 30V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 42nC
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - SiHH080N60E-T1-GE3

Vishay E 系列功率 MOSFET,650 V 漏源电压,32 A 连续漏电流 - SiHH080N60E-T1-GE3

这款功率 MOSFET 是一款高电压 N 通道开关设备,专为要求严苛的功率转换和控制任务而设计。它可在宽温度范围内工作,适用于需要紧凑、稳健开关性能的表面安装应用。该组件提供强大的连续电流能力,同时支持高排放到源电压,适用于工业和电子功率级。

特性和优点：

• 650 V 漏源额定值可实现高电压切换
• 32 A 连续排放电流支持持久负载处理
• 70mΩ Rds(on)可减少运行过程中的导电损耗
• 42nC 典型栅极电荷可改善开关速度控制
• 184W 功耗,可实现显著的热输出
• 最高工作温度为150°C,可耐受高压接点

应用

• 适用于高电压开关模式电源
• 适用于工业电机驱动前端
• 用于转换器的功率因数校正级别
• 可用于谐振和硬切换变频器支脚
• 与电源管理模块中的离散晶体管阵列配合使用

控制电路的栅极电压范围是多少?

栅极可与电源相比驱动高达 30V

控制逻辑应保持在此限值范围内,以保护栅极氧化物。

封装对板级热设计有何影响?

带四个引脚的PowerPAK表面贴装封装需要在PCB上进行热通道或散热,在指定条件下可散发高达184W的功率。

该设备可承受哪些极端环境?

它的额定连续运行温度低至-55°C和高达150°C,可在宽环境和接点温度波动范围内使用。

Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=650 V, 32 A, PowerPAK, 表面安装, 4引脚, SiHH080N60E-T1-GE3, E系列

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