Vishay N型沟道增强型功率 MOSFET, Vds=650 V, 35 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, SiHP080N60E-GE3, E系列

RS 库存编号:: 228-2875
制造商零件编号:: SiHP080N60E-GE3
制造商:: Vishay

Vishay N型沟道增强型功率 MOSFET, Vds=650 V, 35 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, SiHP080N60E-GE3, E系列

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制造商零件编号:: SiHP080N60E-GE3
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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	功率 MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	35A
	最大漏源电压 Vd	650V
	包装类型	JEDEC TO-220AB
	系列	E
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	80mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	227W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	42nC
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	30V
	正向电压 Vf	1.2V
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型功率 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 35A
	最大漏源电压 Vd 650V
	包装类型 JEDEC TO-220AB
	系列 E
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 80mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 227W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 42nC
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 30V
	正向电压 Vf 1.2V
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - SiHP080N60E-GE3

Vishay E 系列功率 MOSFET,650 V 最大漏源电压,35 A 最大连续漏电流 - SiHP080N60E-GE3

这款功率 MOSFET 是一款高电压 N 通道开关设备,专为工业和电子系统中的功率转换和控制而设计。它作为通孔 TO-220 封装的增强模式晶体管运行,可实现稳健安装和散热,适用于严苛应用。该设备适用于需要高排放源电压处理和高连续电流能力的电路。

特性和优点：

• 650V 额定值可处理高电压电源导轨 • 35 A 连续漏电流支持大负载电流 • 80 mΩ Rds(on),可最大程度地减少开关过程中的传导损耗 • 42nC 典型栅极电荷可降低驱动器能量需求 • 227W 功耗允许持续的热负载 • 150°C 最高接点温度,可在高温下运行

应用

• 适用于工业电源中的高电压直流-直流转换器 • 特别适用于需要坚固开关元件的电机驱动前端 • 用于中等功率可再生系统中的逆变器级 • 可用于商业设备的功率因数校正级别 • 适用于需要通孔安装的分立开关设计

我应该允许哪些栅极驱动因素?

预期指定的栅极驱动器的典型栅极电荷为 42nC,因此选择一款能够供应和吸收所需峰值电流的驱动器,以满足开关速度目标的要求。

在设计中应如何应用热管理?

使用连接到TO-220插片的合适散热器,并在规定的热条件下满足227W的功耗额定值,以保持接线温度低于150°C。

PCB 集成有哪些极性和安装限制?

该设备是一款 N 通道增强型设备,采用通孔 TO-220 排列的三个引脚,可实现牢固的机械连接并与底盘或散热器直接连接。

Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=650 V, 35 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, SiHP080N60E-GE3, E系列

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