Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=45 V, 113 A, SO-8, 表面安装, 4引脚, SiJ450DP-T1-GE3, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 228-2887P
- 制造商零件编号:
- SiJ450DP-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计 50 件 (按连续条带形式提供)*
¥403.00
(不含税)
¥455.50
(含税)
有库存
- 5,995 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 95 | RMB8.06 |
| 100 - 245 | RMB7.86 |
| 250 - 995 | RMB7.662 |
| 1000 + | RMB7.47 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 228-2887P
- 制造商零件编号:
- SiJ450DP-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 113A | |
| 最大漏源电压 Vd | 45V | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 包装类型 | SO-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.9mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 48W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 75.5nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 113A | ||
最大漏源电压 Vd 45V | ||
系列 TrenchFET | ||
包装类型 SO-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.9mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 48W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 75.5nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay TrenchFET N 通道为 45 V MOSFET。
经过 100 % Rg 和 UIS 测试