Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 126 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, TrenchFET系列

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包装方式:
RS 库存编号:
228-2904P
制造商零件编号:
SiR510DP-T1-RE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

126A

最大漏源电压 Vd

100V

系列

TrenchFET

包装类型

SO-8

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

3.6mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

54nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

104W

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

汽车标准

Vishay TrenchFET N 沟道为 100 V MOSFET。

经过 100 % Rg 和 UIS 测试