Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=51.4 A, 8针, SO-8, TrenchFET系列

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包装方式：
RS 库存编号:
228-2912
制造商零件编号:
SiR876BDP-T1-RE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

51.4A

最大漏源电压 Vd

100V

系列

TrenchFET

包装类型

SO-8

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

10.8mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20V

最大功耗 Pd

71.4W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

42.7nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

汽车标准

否

Vishay TrenchFET N 沟道为 100 V MOSFET。

经过 100 % Rg 和 UIS 测试

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