制造商编号

Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=70 V, Id=42.3 A, 8针, PowerPAK 1212, TrenchFET系列

RS 库存编号:: 228-2921
制造商零件编号:: SiS176LDN-T1-GE3
制造商:: Vishay

Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=70 V, Id=42.3 A, 8针, PowerPAK 1212, TrenchFET系列

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RS 库存编号:: 228-2921
制造商零件编号:: SiS176LDN-T1-GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	42.3A
	最大漏源电压 Vd	70V
	包装类型	PowerPAK 1212
	系列	TrenchFET
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	10.9mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	12V
	最大功耗 Pd	39W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	12.6nC
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 42.3A
	最大漏源电压 Vd 70V
	包装类型 PowerPAK 1212
	系列 TrenchFET
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 10.9mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 12V
	最大功耗 Pd 39W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 12.6nC
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 No
	汽车标准否

Datasheet - SiS176LDN-T1-GE3

Vishay TrenchFET N 通道为 70 V MOSFET。

经过 100 % Rg 和 UIS 测试

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