Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=70 V, 42.3 A, PowerPAK 1212, 表面安装, 8引脚, SiS176LDN-T1-GE3, TrenchFET系列

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包装方式:
RS 库存编号:
228-2921
制造商零件编号:
SiS176LDN-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

42.3A

最大漏源电压 Vd

70V

系列

TrenchFET

包装类型

PowerPAK 1212

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

10.9mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

12 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

12.6nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

39W

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

汽车标准

Vishay TrenchFET N 通道为 70 V MOSFET。

经过 100 % Rg 和 UIS 测试