Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=70 V, 45.3 A, PowerPAK 1212, 表面安装, 8引脚, SiS178LDN-T1-GE3, TrenchFET系列

可享批量折扣

小计(1 包,共 10 件)*

¥54.47

(不含税)

¥61.55

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
最后的 RS 库存
  • 最终 5,580 个,准备发货
单位
每单位
每包*
10 - 40RMB5.447RMB54.47
50 - 90RMB5.309RMB53.09
100 - 240RMB5.177RMB51.77
250 - 990RMB5.05RMB50.50
1000 +RMB4.924RMB49.24

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
228-2923
制造商零件编号:
SiS178LDN-T1-GE3
制造商:
Vishay
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

45.3A

最大漏源电压 Vd

70V

系列

TrenchFET

包装类型

PowerPAK 1212

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

9.5mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

39W

最大栅源电压 Vgs

20 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

18.7nC

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

汽车标准

Vishay TrenchFET N 通道为 70 V MOSFET。

经过 100 % Rg 和 UIS 测试