Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=70 V, 45.3 A, PowerPAK 1212, 表面安装, 8引脚, SiS178LDN-T1-GE3, TrenchFET系列

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制造商零件编号:
SiS178LDN-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

45.3A

最大漏源电压 Vd

70V

系列

TrenchFET

包装类型

PowerPAK 1212

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

9.5mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

39W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

18.7nC

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

汽车标准

Vishay TrenchFET N 通道为 70 V MOSFET。

经过 100 % Rg 和 UIS 测试

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。