Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 24.7 A, PowerPAK 1212-8, 表面安装, 8引脚, SiS890ADN-T1-GE3, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 228-2926
- 制造商零件编号:
- SiS890ADN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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- 制造商零件编号:
- SiS890ADN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 24.7A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 包装类型 | PowerPAK 1212-8 | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0255Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 24.7A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 TrenchFET | ||
包装类型 PowerPAK 1212-8 | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0255Ω | ||
通道模式 增强 | ||
Vishay N 沟道 100V (D-S) MOSFET。
通过 100% 栅极电阻与 UIS 测试