Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=70 V, 32.5 A, PowerPAIR 3 x 3S, 贴片安装, 8引脚, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 228-2935
- 制造商零件编号:
- SiZ254DT-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 228-2935
- 制造商零件编号:
- SiZ254DT-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 32.5 A | |
| 最大漏源电压 | 70 V | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 封装类型 | PowerPAIR 3 x 3S | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.0161. Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2.4V | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 32.5 A | ||
最大漏源电压 70 V | ||
系列 TrenchFET | ||
封装类型 PowerPAIR 3 x 3S | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 0.0161. Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2.4V | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
晶体管材料 Si | ||
Vishay 双 N 通道 70 V (D-S) MOSFET。
经过 100 % Rg 和 UIS 测试