Vishay , 2 N型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 258 A, PowerPAIR 6 x 5F, 表面安装, 8引脚, TrenchFET系列, SiZF928DT-T1-GE3
- RS 库存编号:
- 228-2943
- 制造商零件编号:
- SiZF928DT-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
¥53.54
(不含税)
¥60.50
(含税)
有库存
- 另外 12,650 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB10.708 | RMB53.54 |
| 50 - 95 | RMB10.44 | RMB52.20 |
| 100 - 245 | RMB10.178 | RMB50.89 |
| 250 - 995 | RMB9.926 | RMB49.63 |
| 1000 + | RMB9.678 | RMB48.39 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 228-2943
- 制造商零件编号:
- SiZF928DT-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 258A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | PowerPAIR 6 x 5F | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.00245Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 16 V | |
| 最大功耗 Pd | 74W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 18.5nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 258A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 PowerPAIR 6 x 5F | ||
系列 TrenchFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.00245Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 16 V | ||
最大功耗 Pd 74W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 18.5nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
晶体管配置 双 | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay 双 N 通道 30 V MOSFET。
经过 100 % Rg 和 UIS 测试