Vishay N沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=30 V, Id=258 A, 8针, PowerPAIR 6 x 5F, TrenchFET系列

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计（1 包，共 5 件）*

RMB100.83

(不含税)

RMB113.94

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 12,650 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位
每单位
每包*
5 - 45RMB20.166RMB100.83
50 - 95RMB19.66RMB98.30
100 - 245RMB19.168RMB95.84
250 - 995RMB18.694RMB93.47
1000 +RMB18.226RMB91.13

* 参考价格

包装方式：
RS 库存编号:
228-2943
制造商零件编号:
SiZF928DT-T1-GE3
制造商:
Vishay
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

258A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

PowerPAIR 6 x 5F

系列

TrenchFET

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.00245Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

18.5nC

最大功耗 Pd

74W

最大栅源电压 Vgs

16V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

晶体管配置

双

标准/认证

RoHS

每片芯片元件数目

2

汽车标准

否

Vishay 双 N 通道 30 V MOSFET。

经过 100 % Rg 和 UIS 测试

相关链接