制造商编号

Vishay , 2 N型沟道双增强型 MOSFET, Vds=60 V, 7 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, TrenchFET系列, SQ4946CEY-T1_GE3

RS 库存编号:: 228-2946
制造商零件编号:: SQ4946CEY-T1_GE3
制造商:: Vishay

Vishay , 2 N型沟道双增强型 MOSFET, Vds=60 V, 7 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, TrenchFET系列, SQ4946CEY-T1_GE3

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RS 库存编号:: 228-2946
制造商零件编号:: SQ4946CEY-T1_GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	7A
	最大漏源电压 Vd	60V
	包装类型	SO-8
	系列	TrenchFET
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	40mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	11.7nC
	最大功耗 Pd	4W
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	1.1V
	最高工作温度	175°C
	晶体管配置	双
	标准/认证	AEC-Q101
	每片芯片元件数目	2
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 7A
	最大漏源电压 Vd 60V
	包装类型 SO-8
	系列 TrenchFET
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 40mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 11.7nC
	最大功耗 Pd 4W
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 1.1V
	最高工作温度 175°C
	晶体管配置双
	标准/认证 AEC-Q101
	每片芯片元件数目 2
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - SQ4946CEY-T1_GE3

Vishay TrenchFET 汽车双 N 通道是功率 MOSFET。

经过 100 % Rg 和 UIS 测试

Vishay , 2 N型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 7 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, TrenchFET系列, SQ4946CEY-T1_GE3

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