Vishay , 2 N型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 7 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, TrenchFET系列, SQ4946CEY-T1_GE3

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包装方式:
RS 库存编号:
228-2946P
制造商零件编号:
SQ4946CEY-T1_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

7A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

SO-8

系列

TrenchFET

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

40mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

4W

正向电压 Vf

1.1V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

11.7nC

最高工作温度

175°C

晶体管配置

标准/认证

AEC-Q101

每片芯片元件数目

2

汽车标准

AEC-Q101

Vishay TrenchFET 汽车双 N 通道是功率 MOSFET。

经过 100 % Rg 和 UIS 测试

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。