制造商编号

Vishay P型沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=33.6 A, 4针, SO-8, TrenchFET系列

RS 库存编号:: 228-2959
制造商零件编号:: SQJ211ELP-T1_GE3
制造商:: Vishay

Vishay P型沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=33.6 A, 4针, SO-8, TrenchFET系列

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5 - 45	RMB15.764	RMB78.82
50 - 95	RMB15.368	RMB76.84
100 - 245	RMB14.984	RMB74.92
250 - 995	RMB14.61	RMB73.05
1000 +	RMB14.248	RMB71.24

* 参考价格

RS 库存编号:: 228-2959
制造商零件编号:: SQJ211ELP-T1_GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	P型
	最大连续漏极电流 Id	33.6A
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	SO-8
	系列	TrenchFET
	安装类型	表面
	引脚数目	4
	最大漏源电阻 Rd	30mΩ
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	-0.82V
	最大功耗 Pd	68W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	45nC
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	No
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 P型
	最大连续漏极电流 Id 33.6A
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 SO-8
	系列 TrenchFET
	安装类型表面
	引脚数目 4
	最大漏源电阻 Rd 30mΩ
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf -0.82V
	最大功耗 Pd 68W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 45nC
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 No
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - SQJ211ELP-T1_GE3

Vishay TrenchFET 汽车 P 通道是 100 V 功率 MOSFET。

经过 100 % Rg 和 UIS 测试

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