Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 18 A, PowerPAK 1212, 表面安装, 8引脚, SQS660CENW-T1_GE3, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 228-2968
- 制造商零件编号:
- SQS660CENW-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
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|---|---|---|
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| 50 - 90 | RMB5.555 | RMB55.55 |
| 100 - 240 | RMB5.415 | RMB54.15 |
| 250 - 990 | RMB5.279 | RMB52.79 |
| 1000 + | RMB5.145 | RMB51.45 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 228-2968
- 制造商零件编号:
- SQS660CENW-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 18A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | PowerPAK 1212 | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 11.2mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 17.4nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 0.8V | |
| 最大功耗 Pd | 62.5W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 18A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 PowerPAK 1212 | ||
系列 TrenchFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 11.2mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 17.4nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 0.8V | ||
最大功耗 Pd 62.5W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Vishay TrenchFET 汽车 N 通道是 60 V 功率 MOSFET。
经过 100 % Rg 和 UIS 测试