Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=150 V, 18 A, powerpak 1212-1e 8W, PCB安装, 8引脚, SQSA70CENW系列

可享批量折扣
查看批量定价选项

小计(1 卷,共 3000 件)*

RMB10,968.00

(不含税)

RMB12,393.00

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
暂时缺货
  • 2026年12月21日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。

单位
每单位
每卷*
3000 - 12000RMB3.656RMB10,968.00
15000 +RMB3.583RMB10,749.00

* 参考价格

RS 库存编号:
228-2971
制造商零件编号:
SQSA70CENW-T1_GE3
制造商:
Vishay
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

18A

最大漏源电压 Vd

150V

包装类型

powerpak 1212-1e 8W

系列

SQSA70CENW

安装类型

PCB

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

68.5mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

0.85V

最大功耗 Pd

62.5W

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

8nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

长度

3.3mm

高度

3.3mm

宽度

3.3mm

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

Vishay SQSA70CENW系列MOSFET,150 V最大漏源电压,18 A最大连续漏电流 - SQSA70CENW-T1_GE3


这款 MOSFET 是一款高电压 N 通道电源设备,专为要求严苛的汽车和工业控制环境中的 PCB 安装而设计。它支持需要高排放源电压能力和低栅极电荷的开关和负载控制角色,并专为满足汽车应力预期和表面贴装组装需求而设计。

特性和优点:


• 150 V 漏源额定值可实现高电压开关容量 • 18 A 连续漏电流支持大量负载处理 • 68.5mΩ Rds(on),可最大程度地减少运行过程中的导电损耗 • 8nC 典型栅极电荷可减少开关能量和驱动需求 • 62.5W 功耗可实现显著的热负载 • 175°C 最高工作温度允许高环境使用

应用


• 适用于需要AEC‐Q101认证的汽车配电模块 • 适用于工业自动化系统中的直流-直流转换器 • 用于紧凑型电子组件中的电机控制开关 • 可用于电池管理和电源路径控制电路

集成时需要哪种安装方法?


它作为表面贴装 PowerPAK 1212-8W 封装提供用于 PCB 安装,便于紧凑型板布局和自动布置。

在驱动设计过程中,应遵守哪些栅极电压限制?


该设备不得暴露在超过 20V 的栅极源电压下,以避免栅极介电过度压力。

热性能对冷却要求有何影响?


具有 62.5W 最大功耗和 175°C 高工作天花板,板和散热器策略应调整尺寸,以保持接线温度在安全范围内,以实现连续运行。

它能承受的环境温度范围是多少?


它的工作温度范围为-55°C至175°C,可在冷启动和高温环境中使用。

哪些特性有助于减少开关损耗?


8nC 栅极电荷与低导通电阻相结合,有助于在高频应用中降低开关和传导损耗。