Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=150 V, Id=18 A, 8针, powerpak 1212-1e 8W, SQSA70CENW系列

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RS 库存编号:
228-2971
制造商零件编号:
SQSA70CENW-T1_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

18A

最大漏源电压 Vd

150V

包装类型

powerpak 1212-1e 8W

系列

SQSA70CENW

安装类型

PCB

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

68.5mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

8nC

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

850mV

最大功耗 Pd

62.5W

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

高度

3.3mm

宽度

3.3mm

标准/认证

RoHS

长度

3.3mm

汽车标准

AEC-Q101

Vishay SQSA70CENW 系列 MOSFET，150V 漏源电压，18A 连续漏极电流 - SQSA70CENW-T1_GE3


该MOSFET是一种功率开关晶体管，专为PCB安装系统中的高压、大电流应用而设计。它作为一款N沟道增强型器件，适用于宽温度范围内的开关和电源管理功能，并采用紧凑型SMD封装，适合空间受限的电路板布局。

特性和优点：


• 具备150V漏极能力，可实现高压开关
• 18A的连续漏极电流可支持重负载
• 68.5mΩ RDS(on),可最大限度减少传导损耗
• 8nC典型栅极电荷，可实现快速开关转换
• 62.5W 最大功耗可应对热应力
• 20V栅源耐压支持较宽的驱动裕量

应用


• 适用于汽车电源转换模块
• 适用于工业设备中的直流-直流转换器
• 用于需要大电流处理的电机驱动装置
• 可用于电源的同步整流
• 适用于电池管理和充电电路

它能在什么温度范围内可靠运行？


它的工作温度范围宽达-55°C至175°C，因此适用于高温环境。

它采用哪种封装类型和安装方式?


该器件采用PowerPAK 1212-8W SMD封装，专为PCB安装设计，有助于紧凑型组装。

栅极电荷对开关性能有何影响?


典型栅极电荷为8nC，可降低栅极驱动能耗，并有助于在开关拓扑中实现更快的导通和关断。

它是否适用于汽车级部署？


它符合AEC-Q101标准，适用于需要使用合格元器件的汽车电子系统。

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