Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=700 V, 34 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, SQW33N65EF-GE3, E系列
- RS Stock No.:
- 228-2975
- Mfr. Part No.:
- SQW33N65EF-GE3
- Brand:
- Vishay
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Units | Per unit | Per Pack* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB27.56 | RMB55.12 |
| 10 - 24 | RMB26.87 | RMB53.74 |
| 26 - 98 | RMB26.205 | RMB52.41 |
| 100 - 498 | RMB25.545 | RMB51.09 |
| 500 + | RMB24.905 | RMB49.81 |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 228-2975
- Mfr. Part No.:
- SQW33N65EF-GE3
- Brand:
- Vishay
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 34A | |
| 最大漏源电压 Vd | 700V | |
| 系列 | E | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 109mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最大功耗 Pd | 375W | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 115nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 34A | ||
最大漏源电压 Vd 700V | ||
系列 E | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 109mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最大功耗 Pd 375W | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 115nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Vishay E 系列功率 MOSFET 可减少开关和传导损耗。
低品质因数 (FOM) Ron x Qg
低有效电容 (Co (er))